當前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > 精密激光微加工 > 激光剝離 > microMIRA用于MicroLED應用的高通量激光剝離技術(shù)
簡要描述：microMIRA 激光剝離（LLO）系統(tǒng)可在高速加工條件下，實現(xiàn)晶圓上不同薄膜層高度均勻且無機械應力的剝離。由于氮化鎵（GaN）基MicroLED通常利用藍寶石襯底與其相似的晶體結(jié)構(gòu)進行外延生長，因此大多數(shù)GaN基MicroLED都生長在藍寶石上。然而，從藍寶石這類透明且昂貴的材料上進行剝離是一項重大挑戰(zhàn)，只有激光技術(shù)才能在保證合理生產(chǎn)效率的前提下實現(xiàn)這一工藝。microMIRA 激光系統(tǒng)特別適
產(chǎn)品型號：microMIRA廠商性質(zhì)：代理商產(chǎn)品資料：更新時間：2026-01-09訪 問 量： 299產(chǎn)品分類
Product Category詳細介紹
microMIRA 激光剝離（LLO）系統(tǒng)可在高速加工條件下，實現(xiàn)晶圓上不同薄膜層高度均勻且無機械應力的剝離。由于氮化鎵（GaN）基MicroLED通常利用藍寶石襯底與其相似的晶體結(jié)構(gòu)進行外延生長，因此大多數(shù)GaN基MicroLED都生長在藍寶石上。然而，從藍寶石這類透明且昂貴的材料上進行剝離是一項重大挑戰(zhàn)，只有激光技術(shù)才能在保證合理生產(chǎn)效率的前提下實現(xiàn)這一工藝。microMIRA 激光系統(tǒng)特別適用于MicroLED顯示制造及半導體制造中，從玻璃和藍寶石襯底上剝離GaN層。
亮點
•無應力且極速的線光束激光加工
•基于熱-機械效應，實現(xiàn)無損傷加工
•全自動系統(tǒng)
•生產(chǎn)成本低
•可集成相鄰制造工序，提升晶圓廠整體生產(chǎn)效率
| 將藍寶石晶圓上的氮化鎵（GaN）通過激光剝離（LLO）轉(zhuǎn)移至石英、藍寶石或其他材料上 | |
| 適用于 | •microLED •miniLED •垂直結(jié)構(gòu) LED •LED |
| 基板尺寸 | •晶圓尺寸達 8” (200 mm) |
| 激光源與光路系統(tǒng) | ·采用準分子激光源，波長可根據(jù)客戶應用需求選擇（例如248 nm） •在樣品表面的線光束尺寸：205 mm × 0.33 mm（適用于8英寸晶圓） |
| 吞吐量 | •每小時可處理60片8英寸藍寶石基GaN晶圓（包含工藝及上下料時間，具體產(chǎn)能取決于系統(tǒng)配置和客戶工件） |
| 定位系統(tǒng) | •精精度直驅(qū)Y軸和Z軸（可選配θ旋轉(zhuǎn)臺） •Y軸：定位精度 ±5 µm，重復定位精度 ±1.5 µm •Z軸：定位精度 ±3 µm，重復定位精度 ±1.5 µm |
| 對準 | •支持手動、半自動或全自動工件對準 •配備X、Y運動系統(tǒng)及光學測量系統(tǒng) •自動Z軸定位與表面形貌測繪 |
| microMMI 軟件 | •控制并監(jiān)控所有硬件組件及加工參數(shù) •多級用戶權(quán)限（管理員、主管、操作員） •數(shù)據(jù)輸入文件格式：DXF、CSV、Gerber、CLI，其他格式可按需提供 |
| 選配項 | •光束分析與功率測量模塊 •解鍵合模塊 •質(zhì)量檢測模塊 •清洗模塊 •最多支持4個SMIF載片端口 •其他輔助模塊可根據(jù)需求提供 |
| 標準 | •符合激光1類安全標準的防護外殼，集成控制面板 •配備認證激光觀察窗或全景攝像頭（網(wǎng)絡攝像頭） •潔凈室等級要求：上下料及正面區(qū)域 ISO 3，剝離工藝區(qū)及激光光路系統(tǒng) ISO 5 •可選配主動式排風系統(tǒng) |
| 系統(tǒng)尺寸 | 尺寸：6,500 mm × 5,700 mm × 2,200 mm（含上下料系統(tǒng)和激光源） |
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